FL2666D4S19-4G

FL2666D4S19-4G фото
FL2666D4S19-4G фото
ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ
Артикул
FL2666D4S19-4G
Описание
SODIMM 4GB 2666 DDR4 CL 19(512*8)
Форм Фактор
SODIMM
Емкость, ГБ
4GB
Тип Памяти
DDR4
Организация Модуля
512Mx64
Рабочее Напряжение
1.2V
Частота
2666
CAS-Латентность
CL19
Компоновка Чипов
(512Mx8)x8
Ранг
1Rx8
Буфферизация
Unbuffered
ECC (Коррекция Ошибок)
Non-ECC
Гарантия
Limited lifetime
Рабочая Температура
0 C to +85 C
Температура Хранения
-55 C to +100 C